离轴生长的MgB2超导薄膜的研究  

PROPERTIES OF CLEAN MgB_2 FILMS ON DIFFERENT TYPES OF SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATES

作　　者：谭腾[1] 冯思敏[1] 庄承钢[1] 冯庆荣[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《低温物理学报》2010年第4期241-247,共7页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家“973”计划项目(批准号:2006CD601004);国家基础科学人才培养基金(批准号:J0630311)资助的课题

摘　　要：通过混合物理化学沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),我们在多种单晶衬底上制备出了MgB2超导薄膜.经测量发现MgB2薄膜在6H-SiC、c-Al2O3、MgO(111)和YSZ(111)衬底上基本是沿c轴外延生长的,形成单晶薄膜;在MgO(211)、MgO(100)和钇稳定氧化锆(YSZ)(110)衬底上,MgB2晶粒的生长表现出明显的择优取向生长方式,并与晶格常数匹配关系所预言的结果一致。Via hybrid physical-chemical vapor deposition technique,we obtain clean MgB2 films on various substrates.On 6H-SiC,c-Al2O3,MgO（111）and YSZ（111）,c-oriented epitaxial films are observed.While on MgO（211）,MgO（100）,yttrium-stabilized ZrO2,and YSZ（110）,the films showed vivid off-epitaxial growth.By analyzing lattice constants of MgB2 and substrates,relationship between the thin films＇ orientation and the substrates＇ lattice constants is found.

关 键 词：不同单晶衬底MgB2薄膜 混合物理化学沉积法 晶格常数 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]