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机构地区:[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110015
出 处:《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》1999年第3期271-278,共8页
基 金:国家自然科学基金(批准号:59701006和 19392300-4)
摘 要:研究了实际生长的铜双晶体(RB),组合双晶体(CB)及其组元单晶体(G1,G2)在总应变幅控制下的循环应力-应变响应.结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为G2,CB,RB及G1,而塑性应变幅则按G2,CB,RB及G1顺序递减.通过引入一个双晶体的取向因子Ω_B比较了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线,其中两组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线均存在一平台区,且平台饱和分切应力分别为30.5MPa及29.2MPa.组合双晶体CB同样也存在一平台区,其平台饱和分切应力基本与组元单晶体的饱和切应力值相等.而实际生长的双晶体RB的循环应力-应变曲线明显高于组合双晶体CB及其组元双晶体G1,G2的循环应力-应变曲线,且随应变幅升高循环饱和分切应力从31.4MPa逐渐升高到34.0MPa,没有平台区存在.
关 键 词:铜双晶体 铜单晶体 循环形变 CSS曲线 应力 应变
分 类 号:TG146.11[一般工业技术—材料科学与工程]
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