Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究  

作　　者：高磊[1,2] 周健[3] 孙志梅[3] 陈荣石[1] 韩恩厚[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳110016 [2]中国科学院研究生院,北京100049 [3]厦门大学材料学院,厦门361005

出　　处：《科学通报》2010年第22期2247-2251,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2007CB613704);国家自然科学基金(50874100)资助项目

摘　　要：Y和Gd在Mg中表现出反常高的固溶强化效率,这一现象与传统的弹性交互作用理论相矛盾.采用第一性原理计算研究了不同合金元素Al,Zn,Y,Gd对Mg固溶体中化学键的影响.结果表明,Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的主要原因是Mg-Y(Gd)和Mg-Mg化学键的增强.

关 键 词：镁合金 固溶强化 第一性原理 化学键 

分 类 号：TG146.22[一般工业技术—材料科学与工程]