美光科技推出第三代低延时内存 美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案  

机构地区：[1]美光科技

出　　处：《电子技术应用》2010年第8期84-84,共1页Application of Electronic Technique

摘　　要：2010年7月14日，美光科技（Micron Technology，Inc）推出了第三代低延时DRAM（RLDRAM 3内存）——一种高带宽内存技术，能更有效地传输网络信息，满足视频内容、移动应用和云计算蓬勃发展的需要。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

关 键 词：内存技术 低延时 第三代 科技 网络信息 移动应用 视频内容 存储密度 

分 类 号：TN912.3[电子电信—通信与信息系统]