用组合靶溅射制备Nd_2Fe_(14)B薄膜的研究  

Study on the Sputtered Nd2Fe14B Thin Films with Composite Target

作　　者：赵强[1,2] 松本光功[1,2] 森迫昭光 

机构地区：[1]兰州大学磁性材料研究所 [2]信州大学情报工学科

出　　处：《功能材料》1999年第2期150-151,154,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：采用单质Ｆｅ、Ｎｄ、Ｂ组成的靶，用对向靶溅射系统制备出了含有Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相的薄膜。发现Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相能够较好地形成的基板温度范围是５００℃～６００℃。并且相对于热氧化硅基板（ＳｉＯ２／Ｓｉ）。The Nd2Fe14B phase could be formed in thin films by using a composite target.The 2141 phase was best formed when the films were sputtered onto 500600 substrates.Nd2Fe14B phase was better formed on Ta substrates than on surfitially oxidized Si (SiO2/Si) substrates.

关 键 词：ND2FE14B 永磁薄膜 基板温度 组合靶溅射 

分 类 号：TM273.051[一般工业技术—材料科学与工程]