闪锌矿B_xAl_(1-x)As合金的LP-MOCVD生长研究  

LP-MOCVD growth of zinc-blende B_xAl_(1-x)As alloys

作　　者：李佳健[1] 王琦[1] 张霞[1] 杨跃[1] 任晓敏[1] 黄永清[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《光电子．激光》2010年第8期1193-1195,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家“863”计划资助项目(2009AA03Z417);国际科技合作计划重点资助项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005)

摘　　要：利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著。在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω-2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec,原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化。A series of BxAl1-xAs alloys with boron composition ranging from 0.4% to 4.4% have been grown on GaAs（001） substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition（LP-MOCVD）,and triethylboron（TEB） has been used as the boron precursor.The experimental results demonstrate that 580 ℃ is the optimum temperature （Tg） of BAlAs growth;the boron composition of BxAl1-xAs alloys decreases at 550 ℃ and 610 ℃.At the optimum temperature of 580 ℃,the boron incorporation ratio increases with the increment of TEB mole flowrate.And,when the boron composition increases from the critical value of 2.1% to the maximum value of 4.4%,the root mean square（RMS） roughness measured by AFM increases from 2.469 nm to 29.086 nm.AFM results show the obvious crystallinity deterioration of BAlAs alloys.

关 键 词：BxAl1-xAs 三乙基硼(TEB) 低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD) X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM) 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]