美光科技第三代低延时内存  

出　　处：《电子设计工程》2010年第8期119-119,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：美光科技（Micron Technology，Inc）推出了第三代低延时DRAM（RLDRAM3内存）——一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗．在网络应用中性能更好。

关 键 词：内存技术 低延时 第三代 科技 网络基础设施 网络信息 移动应用 视频内容 

分 类 号：TN912.3[电子电信—通信与信息系统]