检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]成都信息工程学院通信工程学院 [2]成都信息工程学院外国语学院,四川成都610225
出 处:《硅谷》2010年第17期174-174,126,共2页
摘 要:忆容器是一种具有记忆特性的基础电子器件,其电压-电荷关系与其所经历的历史有关,是记忆性器件的一种。电荷控忆容器的电容量不再是常数,而与其积累的电荷量有关,电荷-电压关系表现出非线性特性。研究一个三阶的电荷控忆容器电路,利用忆容器的非线性,在特定条件下该电路的动态特性非常复杂,仿真结果分析表明为一种混沌振荡。
关 键 词:忆容器:混沌
分 类 号:TN7[电子电信—电路与系统]
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