全新可升级ATE保障未来三代器件需求  

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作  者:丛秋波 

出  处:《电子设计技术 EDN CHINA》2010年第9期17-17,共1页EDN CHINA

摘  要:存储器制造商一直在寻找一种既能满足其生产和功能需求又能提供比一代器件寿命更长、投资价值更高的节约型ATE解决方案。

关 键 词:V93000 HSM3G DDR4 存储器测试 VERIGY 

分 类 号:TN386.1[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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