界面交换耦合强度对垂直取向FePt/α-Fe/FePt磁性三层膜磁化反转过程的影响  

作　　者：薄鸟[1] 赵国平[1,2] 叶淋宁[3] 徐劲松[1] 邓娅[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所,成都610068 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 [3]西南财经大学经济信息工程学院,成都610074

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第9期1085-1091,共7页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10747007);教育部留学归国人员启动基金资助项目

摘　　要：运用微磁学方法,研究了界面交换耦合强度对垂直取向FePt/α-Fe/FePt磁性三层膜的磁化反转过程的影响,得到成核场的解析公式.研究发现,成核场随界面交换耦合常数的增大而增大.尤其当软磁相厚度很小时,界面交换耦合作用对成核场的影响比较明显.通过数值计算,得到了不同交换耦合常数下的磁矩分布,发现界面处的磁矩角度出现跳跃.并且钉扎场随着软磁相厚度和界面交换耦合常数的增加而减小.

关 键 词：界面交换耦合强度 成核场 矫顽力 微磁学计算 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]