ZnS∶Mn^(2+)薄膜电致发光器件中电子散射过程的研究  

Electron Scattering Process in ZnSMn2+ Thin Film Electroluminescent Devices

作　　者：赵辉[1] 王永生[1] 徐征[1] 王丽辉[1] 徐叙瑢[1] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所

出　　处：《功能材料》1999年第3期307-309,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金;国家863计划资助

摘　　要：研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各种散射过程进行了比较，发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要，杂质散射的重要性取决于浓度的大小。同时研究了它们在不同能谷中的行为。进而研究了温度对散射过程的影响。Electron scattering process in thin film electroluminescent devices is studied in this article.The relationship between the scattering rate of acoustic phonons,polar optical phonons,ionized impurities,intervalley scattering with electron energy are calculated respectively for ZnSMn2+.The results are compared and their different characters in each valleys are analyzed.Furthermore,temperature effects of scattering process are studied.

关 键 词：电子输运 电致发光 散射 薄膜 TFELD 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]