GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现  

Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor

作　　者：张文静[1,2,3] 包西昌[1,2,3] 王玲[1,2,3] 袁永刚[1,2] 李向阳[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 [3]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《激光与红外》2010年第9期993-996,共4页Laser & Infrared

基　　金：国家自然科学基金项目(No.60807037;No.60708028)资助

摘　　要：介绍了一种为了获得高速高性能的GaN基紫外数字像素光电传感器的设计和实现。该传感器每个像素单元面积为50μm×50μm,包含一个UV光电探测器,一个1位比较器和一个3 T的存储单元,能同时完成对所有像素的A/D转换。像素内比较器电路中引入了一个自动复位电路用以实现数字相关双采样功能,并可以增加峰值信噪比以及动态范围。电路采用CSMC DPTM 0.5μm CMOS工艺流片实现,初步的功能实验结果验证这一数字传感器能正常工作。The design and implementation of a GaN-based UV digital pixel photoelectric sensor for high speed and high performance is presented.The pixel occupies an area of 50 μm×50 μm and includes a UV photodiode,a 1-bit comparator and a 3 T memory cell.In the sensor the A/D conversion can simultaneously be performed for all pixels.An automatic reset circuit is introduced in each pixel comparator circuit and it can increase the peak signal to noise ratio and dynamic range by digital correlated double sampling operation.The DPS ADC circuits are implemented by CSMC DPTM 0.5 μm CMOS process,and the initial function test results verify that the digital sensor can work properly.

关 键 词：GAN基紫外探测器 数字像素传感器 模数转换 多通道位串行 比较器 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]