半导体自旋电子学的最新研究进展  

作　　者：张家鑫[1] 许丽萍[1] 王忠斌[1] 范石伟[2] 

机构地区：[1]中北大学理学院物理系,山西太原030051 [2]内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古包头014010

出　　处：《硅谷》2010年第19期37-37,31,共2页

基　　金：国家自然基金(No.60776062)

摘　　要：自旋电子学起源于巨磁阻效应(GMR),目前已经成为凝聚态物理学领域的研究热点,其中半导体自旋电子学是自旋电子学中人们所关注的一个重要领域。从磁性半导体、自旋电子的注入、检测、输运等方面综述半导体自旋电子学的最新研究进展,并且指出目前半导体自旋电子学研究的重点及难点。

关 键 词：巨磁阻效应 电子注入 半导体自旋电子学 自旋输运 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]