高密度磁记录用部分晶化钡铁氧体薄膜  

Partially Crystallized Ba Ferrite Thin Films for High Density Magnetic Recording

作　　者：白建民[1] 刘小晰[1] 谢天[1] 魏福林[1] 杨正[1] 松本光功[2] 

机构地区：[1]兰州大学磁性材料研究所 [2]日本国信州大学工学部工学科

出　　处：《磁性材料及器件》1999年第1期23-27,共5页Journal of Magnetic Materials and Devices

摘　　要：对于沉积态非晶薄膜，通过严格控制其快速热处理时间，从而制备出了部分晶化钡铁氧体薄膜。原子力显微镜（ＡＦＭ）观察表明，与完全晶化的薄膜相比，部分晶化的薄膜具有更光滑的表面。振动样品磁强计（ＶＳＭ）的测量结果表明，这种薄膜具有非常低的ΔΜ值。这主要是由于磁性粒子之间存在非磁性相，使得磁性粒子之间的磁耦合减小的缘故。Partially crystallized Ba ferrite thin films were prepared by the strict controlling of the rapid thermal annealing time for as deposited amorphous thin films.Atom Force Microscopy (AFM) examination revealed that the partially crystallized thin films have a smoother surface compared with fully crystallized samples.VSM measurement shown that the films have a very small Δ M value which corresponds to low magnetostatic coupling between the magnetic grains separated by the nonmagnetic amorphous phase.

关 键 词：钡铁氧薄膜 溅射镀膜 △M值 部分晶化 磁记录 

分 类 号：TQ581[化学工程—精细化工] TM277.013[一般工业技术—材料科学与工程]