检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]吉林师范大学计算机学院,吉林四平136000 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130012
出 处:《吉林大学学报(理学版)》2010年第5期847-850,共4页Journal of Jilin University:Science Edition
基 金:国家自然科学基金(批准号:50772043);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20070183175);吉林省科技发展计划项目(批准号:20090536)
摘 要:利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算在压力作用下Ge的结构转变、能带结构、电子态密度和弹性性质.结果表明:在9.0GPa压力点,Ge发生了从立方金刚石结构(Ge-Ⅰ)到β-Sn结构(Ge-Ⅱ)的一级结构相变;材料的导电性能由半导体转变为导体;Ge-Ⅰ的弹性常数随压力线性增加。An investigation on structural transformation,electronic and elastic properties of Ge under high pressure was conducted via first-principles calculations based on density functional theory(DFT) with the plane wave basis set.The results show that first-order structural transformation from the cubic diamond(Ge-Ⅰ) to β-Sn structure(Ge-Ⅱ) occurs at 9.0 GPa.The electric conductivity of material was transformed,that is,from that of semiconductor to that of conductor.The elastic coefficient of Ge-Ⅰ shows a linear relation with pressure.
分 类 号:TB303[一般工业技术—材料科学与工程]
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