一种高频开关应用的新型1200V IGBT模块  

A New 1200V IGBT Module for High Switching Frequency Applications

作　　者：Taku Takaku Shunta Horie Shogo Ogawa 李兴鲁[3] 刘钺杨[3] 吴郁[3] 

机构地区：[1]富士电机美国公司 [2]富士电机系统有限公司 [3]北京工业大学电控学院

出　　处：《电力电子》2010年第4期47-50,40,共5页Power Electronics

摘　　要：医疗仪器、焊机和等离子切割机用电源的市场在不断扩大,这些设备工作在20～50kHz或更高的高频范围。本文讲述了近来开发的、用于这一高频领域的I G BT模块的设计理念。由于在这些应用中工作频段为高频范围,因此器件的开关损耗(开通、关断以及反向恢复损耗)是主要的功耗。通过降低背P+层载流子密度(注**——见正文),减小IGBT芯片中元胞的重复步距,并优化IGBT/FWD通态电压与开关损耗之间的折衷关系,可以得到更低的开关损耗。因而,这种新开发的IGBT模块的总功耗比标准IGBT模块(第5代系列)降低了25%。使用这种模块,能进一步提高效率、实现系统的小型化。

关 键 词：IGBT模块 高频开关 应用 开关损耗 等离子切割 载流子密度 医疗仪器 设计理念 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]