额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块  

The Next Generation 3300V BIGT HiPak Modules with Current Ratings Exceeding 2000 A

作　　者：A．Kopta M Rahimo R．Schnell M．Bayer U．Schlapbach J．Vobecky 

机构地区：[1]瑞士ABB公司

出　　处：《电力电子》2010年第4期51-56,共6页Power Electronics

摘　　要：本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（Bimode Insulated Gate Transistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块，给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数，这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能，测试时的结温最高达到150℃。此外，首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。

关 键 词：额定电流 模块 绝缘栅晶体管 安全工作区 GATE IGBT 动态特性 频率条件 

分 类 号：TM561[电气工程—电器]