高离化态Si的束箔光谱的理论分析  

Theoretical analysis of beam foil spectrum for highly ionized Si

作　　者：符彦飙[1,2] 董晨钟[1,2] 袁萍 陈冠英[1,2] 张树东 王友德[1,2] 杨治虎 

机构地区：[1]西北师范大学物理系 [2]中国科学院近代物理研究所

出　　处：《西北师范大学学报（自然科学版）》1999年第3期51-55,共5页Journal of Northwest Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用ＨＸＢ方法计算了Ｓｉ离子高离化态束箔光谱的跃迁波长、振子强度、跃迁几率以及能级寿命等．对不同束流能量入射下的Ｓｉ离子谱进行了具体分析．Wavelength,oscillator strengths,transition probabilities and level lifetimes are calculated for foil excited highly ionized Si with multiconfiguration HXR method.The spectrum of Si ions in several beam energies are analysed.Comparisons with existing experimental results are given.

关 键 词：振子强度 束箔光谱 高离化态离子 硅离子 

分 类 号：O562.3[理学—原子与分子物理]