异常大磁阻La-Sn-Mn-O外延单晶薄膜的研究  

作　　者：郭向欣[1,2] 戴守愚[1,2] 王焕华[1,2] 周岳亮 陈正豪[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所光物理实验室 [2]中国科学院凝聚态物理中心,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1999年第7期643-647,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家重点基础研究资助

摘　　要：首次报道采用脉冲激光沉积方法在 ( 1 0 0 )LaAlO3 单晶基底上外延生长La Sn Mn O薄膜 ,由X射线的衍射分析确定薄膜属于钙钛矿型结构 .薄膜在低温发生金属到半导体转变 ,它的电阻随磁场的变化而变化 ,其磁阻的最大变化率约为 1 0 3 ,表明此薄膜具有异常大磁阻效应 .磁化强度的测量表明其室温为顺磁性低温为铁磁性 .居里温度值与薄膜出现最大磁阻变化率的温度值十分接近 ,表明其中的磁阻效应是与铁磁到顺磁转变紧密相连的 .为进一步探讨La Sn Mn O在将来集成薄膜器件中的应用前景 ,测量了薄膜表面的平整度 .

关 键 词：磁阻 钙钛矿结构 外延单晶薄膜 稀土锰氧化物 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理] O737[理学—物理]