CCD图像传感器抗晕结构研究与仿真  

Research and Simulation of A CCD Image Sensor with a Vertical Anti-blooming Strctrue

作　　者：武利翻[1] 

机构地区：[1]西安邮电学院,西安710121

出　　处：《科学技术与工程》2010年第27期6658-6660,6678,共4页Science Technology and Engineering

摘　　要：分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压。1PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。MEDICI is a powerful device simulation program that can be used to simulate the behavior of MOS and semiconductor devices.A simulation grid is created by MEDICI.The substrate voltage,the 1 PW impurity concentration,N buried-channel impurity concentration and P impurity concentration of TG（transfer Gate） is analyzed.Finally,an optimum strcture is obtained.

关 键 词：CCD 光晕 纵向抗晕 器件仿真 

分 类 号：TN911.73[电子电信—通信与信息系统]