面心立方结构TaN_δ薄膜功率电阻研究  

Study on Face Centered Cubic TaN Film Power Resistor

作　　者：代波[1] 倪经[2] 

机构地区：[1]西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳621010 [2]西南应用磁学研究所,四川绵阳621000

出　　处：《磁性材料及器件》2010年第5期37-40,共4页Journal of Magnetic Materials and Devices

基　　金：四川省青年基金资助项目(09ZQ026-002)

摘　　要：TaN薄膜电阻由于具有高的微波承受功率、低的电阻温度系数以及良好的化学稳定性，是目前常用的功率电阻。在Ar／N2混合气氛下，利用直流反应溅射制备了面心立方结构的TaN薄膜功率电阻。实验发现，当Ta／N原子比在0．9～1．2之间时，可以形成比较好的面心立方结构TaN。其电阻温度系数约为-1．86‰／℃，对于6mm（长）×0．3mm（宽）×0．25μm（厚）的薄膜电阻，微波承受功率超过3W，而Ta薄膜电阻承受微波功率小于2W。TaN has been frequently used for fabricating power resistor because of its high microwave power endurance, low temperature coefficient of resistance （TCR） and good corrosion resistance. In this study, face centered cubic （fcc） TaN films were fabricated by using DC reactive magnetron sputtering in Ar/N2 mixed gas atmosphere. It was found that when the Ta/N atomic ratio was between 0.9 and 1.2, fcc TaN films were formed and temperature coefficient of resistance （TCR） is as low as - 1.86‰/℃. The power endurance is beyond 3W while less than 2W for Ta film resistors.

关 键 词：功率电阻 TaN薄膜 承受功率 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]