沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络  

Au network deposited on the silicon nanoporous pillar array

作　　者：符建华[1] 欧海峰[1] 刘琨[1] 富笑男[1] 李新建[2] 

机构地区：[1]河南工业大学理学院,河南郑州450001 [2]郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052

出　　处：《电子元件与材料》2010年第9期48-50,共3页Electronic Components And Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.10574112)

摘　　要：采用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA。测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0nm和75.5nm。无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物。说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中。By immersing silicon nanoporous pillar array（Si-NPA） in the AuCl3 solution for a period,Au was deposited on the Si-NPA substrate and Au network（Au/Si-NPA） formed on the substrate.The results show that the grain sizes of Au are 26.0 nm and 75.5 nm,respectively,before and after annealing the Au/Si-NPA in oxygen at 600 ℃ for 60 min.Whether the Au/Si-NPA is annealed at 600 ℃ in oxygen or in nitrogen,gold neither penetrates into the Si-NPA substrate nor reacts with silicon.This indicates that gold can potentially be applied to VLSI as an interconnecting material.

关 键 词：Au/硅纳米孔柱阵列 Au互连 浸渍技术 

分 类 号：O484[理学—固体物理]