硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析  

SIMS analysis of oxygen and carbon concentration in silicon

作　　者：何友琴 马农农 王东雪 

机构地区：[1]电子材料研究所,天津300192

出　　处：《现代仪器》2010年第2期40-41,52,共3页Modern Instruments

摘　　要：本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm^3、2.0e16atoms/cm^3。The SIMS quantitative analysis method of Oxygen and Carbon Concentration with RSF（relative sensitivity factor） was described in this paper. The detection of Oxygen is 6.0e 16atoms/cm^3 and Carbon is 2.0e 16atoms/ cm^3, respectively by presputtering.

关 键 词：硅 相对灵敏度因子 二次离子质谱 定量分析 预溅射 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]