检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:Carl H.Smith Robert W.Schneider 本刊编辑部
出 处:《传感器世界》1999年第6期6-12,共7页Sensor World
摘 要:从1988年法国科研人员首次发现高磁阻效应(GMR:Giant MagnetoResistance)以来,由于这些材料的高灵敏度、良好的温度稳定性和在较大测量范围内优异的线性,已在磁场测量及其它领域中获得了广泛应用。本文主要介绍高磁阻材料几种结构及其在磁场传感器中的应用。同时还将这种材料与传统磁场测量技术做了比较。将传感器和信号调理及输出电路集成在一起的集成高磁阻传感器,使高磁阻技术得到了进一步应用,本文也做相应介绍。In this article GMR materials are described, as are their application in magnetic field sensors. New GMR structures utilizing spin valves and spin dependent tunneling(SDT) will offer even more potential for expanding the horizon of solid state magnetic sensing. Comparisons are made to sensors using conventional technology . Integrated GMR sensors that have signal conditioning and output electronics monolithically integrated with the sensor offer further uses of this new technology. Beyond the sensor itself, other control system functions have the potential for using the same GMR materials to make magnetic isolators and nonvolatile memories.
分 类 号:TP212.04[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TM153[自动化与计算机技术—控制科学与工程]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.7