梁式引线GaAs混频二极管对  

GaAsBeamLeadMixerDiodePair

作　　者：周剑明[1] 江关辉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1999年第2期203-210,共8页Research & Progress of SSE

摘　　要：文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强，可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１，结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ，正向微分电阻为３～６Ω，分布电容较小，结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ，正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中，中频带宽为４～８ＧＨｚ，混频器的变频损耗低于２０ｄＢ，本振功率为１３ｄＢｍ。Thedesign,fabricationandcharacterizationofGaAsbeamleadantiparallelmixerdiodepairaredescribedinthispaper.Thepaircanbeusedinwidebandcomponentssuchassubharmonicmixer,phasedetector,etc.Itisfabricatedinproperprocess,byusingsemiinsulatingGaAssinglecrystalassubstrate,NbMo/GaAscontactasSchottkybarrier,andbothSiO2andpolymideaspassivationfilm.Thediodepairisreliable,withIVnfactorlessthan1.1,junctioncapacitanceof0.10.2pF,forwardseriesresistanceof36,junctioncapacitancedifferenceCj0.025pF,forwardvoltagedifferenceVF25mVandlowparasiticcapacitance.The2ndsubharmonicmixerusingthediodepairprovidesfrequencyconversionlosslessthan20dBinthefrequencyrangeof1840GHz,withintermediatefrequencybandwidthof48GHzandlocaloscillatingpowerof13dBm.

关 键 词：砷化镓 梁式引线 混频 二极管对 

分 类 号：TN315.3[电子电信—物理电子学] TN305.96