探针压力对四探针法测量银薄膜电阻率的影响  

作　　者：邱邃宇[1] 于明鹏[2] 邱宏[2] 

机构地区：[1]清华大学附属中学高一(3)班 [2]北京科技大学物理系,北京100083

出　　处：《科技创新导报》2010年第28期98-99,共2页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：本文用四探针法测量了220纳米厚的银薄膜的电阻率,研究了探针压力对银薄膜电阻率的影响。结果表明:随着探针压力从1.47牛顿增大到4.41牛顿,银薄膜的电阻率略微增大,最大探针压力时的电阻率比最小探针压力时的电阻率大约增加了7%。

关 键 词：四探针法 探针压力 银薄膜 电阻率 

分 类 号：O484[理学—固体物理]