一种flash存储器的灵敏放大器设计  

A Design of Sense Amplifier for Flash Memory

作　　者：王艺燃[1] 于宗光[2] 

机构地区：[1]江南大学信息工程学院,江苏无锡214122 [2]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214061

出　　处：《微电子学与计算机》2010年第11期147-150,共4页Microelectronics & Computer

基　　金：江苏省自然科学基金项目(BK2007026);江苏省"333"人才工程项目(20070124)

摘　　要：提出一种新型高速低工作电压的嵌入式flash灵敏放大器,该灵敏放大器由一个新型的位线稳压器和一个折叠共射-共基放大电路组成.基于0.13μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,该灵敏放大器在-40℃～150℃的温度范围内有快速的读取速度,在最差工作环境下读取时间为17ns,最佳工作环境下为10ns,常温1.2V条件下的读取时间为12.5ns.A new high-speed low-supply voltage sense amplifier,which is composed of a new bit-line voltage regulator and a folded cascode ampligier circuit,is presented. It has been verified that the read speed of the new sense amplifier is fast in temperature range from-40℃ to 150℃ by simulation with 0.13μm CMOS models. Simulation results showed a read time of 17ns for the worst case,10ns for the best case,12.5ns and the normal temperature/1.2V case,respectively.

关 键 词：灵敏放大器 FLASH存储器 仿真 

分 类 号：TN722.7[电子电信—电路与系统]