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机构地区:[1]江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系,镇江212013 [2]宁波大学理学院光电子技术研究所,宁波315211 [3]常州亿晶光电科技有限公司,常州213223
出 处:《太阳能学报》2010年第10期1343-1348,共6页Acta Energiae Solaris Sinica
基 金:国家自然科学基金(60977048);宁波市重点实验室基金(2007A22006);江苏大学-常州亿晶光电科技有限公司联合研发项目
摘 要:针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。The influence of various structure parameters of μc-Si: H and a-Si: H on the performance of two different struc- tures of the crystalline silicon heterojunction solar cells based on p-type Czochralski silicon has been investigated in de- tails by computer simulation using the AFORS_ HET software. It was found that the BSF parameters of μe-Si:H (p) was key factors to enhance the solar cell performance. Accordingly, the design optimization of the new crystalline silicon het- erojunction solar cells based on p-type Czochralski silicon, i.e., the TCO/a-Si : H (n)/a-Si : H (i)/e-Si (p) / a-Si : H (i) / μc-Si:H(p)/TCO, was provided and the efficiency of 20.00% was obtained.
关 键 词:a-Si(n)/c—Si(p)异质结太阳电池 微晶硅 背面场 AFORS—HET
分 类 号:TM615[电气工程—电力系统及自动化]
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