Cu-Zn-Al合金中的层错能否捕获正电子  

The Possibility of Stacking Faults in Cu - Zn - Al to Trap Positrons

作　　者：王景成 尤富强 殷俊林 

机构地区：[1]上海金属功能材料开发应用重点实验室

出　　处：《上海钢研》1999年第2期23-25,共3页Journal of Shanghai Iron and Steel Research

摘　　要：本文用正电子湮没多普勒展宽能谱仪、寿命谱仪和透射电子显微镜相结合分析了大约在5℃和25℃之间Cu-23at.％Zn-11at.％Al合金的相转变。结果表明该合金中的层错在实验误差范围内对正电子没有捕获效应。The phase transformation in Cu - 23at. %Zn - 11at. %Al alloy from 5℃ to 25℃ has been studied by means of the lifetime and Doppler spectrometers of positron annihilation and transmission electron microscope. It is shown that the stacking faults in the alloy have not a remarkable effect of trapping positrons.

关 键 词：铜基合金 层错 正电子 CU-ZN-AL合金 

分 类 号：TG146.11[一般工业技术—材料科学与工程]