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作 者:万冀豫[1] 金克新[1] 谭兴毅[1] 陈长乐[1]
机构地区:[1]西北工业大学凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,西安710072
出 处:《物理学报》2010年第11期8137-8141,共5页Acta Physica Sinica
基 金:国家自然科学基金(批准号:50702046);西北工业大学基础研究基金(批准号:NPU-FFR-JC200821);西北工业大学"翱翔之星"项目资助的课题~~
摘 要:利用固相反应法制备Pr0.5Ca0.5MnO3(PCMO)靶材,并采用脉冲激光沉积法(PLD)在n型Si(111)基片上沉积PCMO外延薄膜,研究了薄膜的输运特性及薄膜与Si衬底形成异质结的整流特性.结果表明:在80—300K温度范围内,PCMO薄膜的阻温关系符合变程跳跃模型,随着温度的升高表现出从一维到二维再到三维的转变,分析认为可能源于轨道自由度对电子输运特性的影响.PCMO/Si异质结在磁场作用下整流特性得到改善,且在正向电流方向出现从正磁电阻到负磁电阻的过渡.Pr0.5 Ca0.5MnO3(PCMO) is been prepared by a solid-state reaction technique,and the thin film of PCMO is deposited on an n-type silicon substrate by a pulsed laser deposition method.Experimental results indicate the transport character of the film may be consistent with the variable range hopping model in a temperature range of 80—300 K,but it changes from one-dimension to two-dimensional and then turns three-dimensional with temperature increasing.It may be attributed to the effect of orbit order on the transport characteristics.The PCMO/Si heterojunction possesses good rectifieation property under a magnetic field,and at a positive voltage the heterojunction shows its magnetoresistance to have a remarkable transition from positive to negative.
关 键 词:Pr0.5Ca0.5MnO3 Si 整流 正磁电阻
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