n-i-p微晶硅太阳电池中p型掺杂层对其性能的影响  

作　　者：袁育杰[1,2] 张楷亮[1,2] 魏臻[1,2] 耿新华[3] 

机构地区：[1]天津理工大学,天津300384 [2]薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津300384 [3]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第11期1410-1415,共6页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB202602和2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60806030);天津市自然科学基金(编号:08JCYBJC14600)资助项目

摘　　要：采用高压高功率RF-PECVD技术,研究了三个系列的p层微结构特性和光学特性对电池性能的影响,获得了适合n-i-p微晶硅太阳电池的p型掺杂层.实验结果表明,p层的微结构特性与电池性能密切相关,具有特定结构的p层能够使电池性能大幅度提高,获得转换效率为8.17%(Voc=0.49V,Jsc=24.9mA/cm2,FF=67%)的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.93%(Voc=1.31V,Jsc=13.09mA/cm2,FF=64%)的叠层太阳电池.

关 键 词：微晶硅 太阳电池 量子限制效应 P型掺杂层 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]