一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA  

A CMOS Wideband Variable Gain LNA with Novel Gain Control Method

作　　者：谌斐华[1,2] 多新中 孙晓玮[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100039 [3]中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203

出　　处：《电子与信息学报》2010年第11期2772-2775,共4页Journal of Electronics & Information Technology

基　　金：国家863计划项目(2007AA01Z2B1)资助课题

摘　　要：高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。Multi-standard convergence for high speed ultra-wideband wireless communication leads the evolution for future RF devices.In this paper a CMOS wideband low noise amplifier（LNA） with novel gain control method is presented.In the first stage shunt-resistor feedback is used for wideband input matching,while for low noise performance noise cancelling circuit is adopted.A novel 6-bit digital programmable gain control circuit is exploited and adopted in the second stage for variable gain.Fabricated with SMIC 0.13μm RF CMOS process,die area is 0.76mm 2.Measured results show that the LNA operates in 1.1-1.8 GHz frequency band,and the maximum and minimum gain are 21.8 dB and 8.2 dB,7 gain modes in all.Minimum noise figure is 2.7 dB.Typical IIP3 is-7 dBm.

关 键 词：RFCMOS 低噪声放大器(LNA) 噪声消除 宽带 可变增益 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]