多孔硅(PS)及其光电器件研究进展  

Research Development of Porous Silicon Optoelectronic Devices

作　　者：郭宝增[1] 

机构地区：[1]河北大学电子与信息工程系

出　　处：《半导体技术》1999年第3期8-13,共6页Semiconductor Technology

摘　　要：综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其用于硅基光电器件制造方面的进展。This paper attempts to review the development in study on light emission porous silicon and its application in optoelectronic devices.

关 键 词：多孔硅 发光二极管 光探测器 硅集成电路 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN36