CdF_2半导体中表面磁极化子的性质  

作　　者：肖景林 额尔敦朝鲁 张鹏 

机构地区：[1]内蒙古民族师院物理系 [2]中国科学院激发态物理开放实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第6期441-447,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院激发态物理开放实验室基金

摘　　要：本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算，结果表明，ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小，随磁场Ｂ的增加而增加；诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加，但与外磁场Ｂ无关；有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加而增加；当ｚ＜３ｎｍ时，声子之间相互作用的影响Δ随坐标ｚ的增加而增加，当ｚ＞３ｎｍ时，Δ随ｚ的增加而缓慢减小．

关 键 词：氟化镉 表面磁极化子 性质 半导休亘子阱 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] TN304.01