H_2S敏感薄膜材料的研究  

Study on Sensing Thin Film for H_2S

作　　者：吴远大[1] 戴国瑞[1] 南金[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,长春130023

出　　处：《材料导报》1999年第3期66-68,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金资助(69776038)

摘　　要：报导了采用PECVD方法制备SnO_2敏感薄膜材料,并用浸渍法对薄膜修饰了金属氧化物CuO。实验发现该薄膜材料对H_2S气体具有很高的灵敏度和选择性,并且具有较快的响应、恢复速度。SnO_2 sensing thin films are prepared by means of plasma enhanced chemical vapour deposition method,and the films are modified with CuO by means of soaked technique. The sensing films are proved to be highly sensitive and elective to H_2S gas. Furthermore, the response speed is fairly quick.

关 键 词：气敏材料 薄膜 表面改性 硫化氢 

分 类 号：O484[理学—固体物理]