硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析  

Compositions and Microstructures of Si-Doped Glow Discharge Polymer Films

作　　者：唐定平[1,2] 何智兵[2] 陈志梅[2] 谢征微[1] 李玲[1] 阳志林[2] 闫建成[2] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院,成都610065 [2]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

出　　处：《真空科学与技术学报》2010年第6期667-670,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家高技术863资助项目

摘　　要：以H2、反式二丁烯（T2B）和四甲基硅烷（TMS）混合气体为工作气体，在不同TMS流量条件下，用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物（GDP）薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组成结构。X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分，分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响。研究表明：薄膜中成功地掺入了Si元素；Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si—C，Si—H等键合形式存在；在TMS流量为0．5～2mL／min（标准状态）的范围内，薄膜中Si的原子浓度为0．72％～1．35％；随着TMS流量的逐渐增加，薄膜中Si含量逐渐增大。The Si-doped glow discharge plasma（GDP） films were deposited by low pressure plasma enhanced chemical vapor deposition（LPPCVD） in a gaseous mixture of hydrogen,T2B and tetramethylsiline（TMS） at different flow rates,in the range from 0.6 mL/min to 2.0 mL/min.The impacts of Si content and TMS flow rate on the microstructures and stoichiometries of the GDP films were studied.The microstructures and chemical compositions of the GDP films were characterized with X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy.The results show that the TMS significantly affects the doping and stoichometry of silicon.For instance,the Si content in the phases of Si-C and Si-H increased from 0.72 %（at） to 1.35 % as the TMS flow rate rose up from 0.5 mL/min to 2 mL/min.

关 键 词：低压等离子体增强化学气相沉积 Si掺杂辉光放电聚合物薄膜 X射线光电子能谱 傅里叶变换红外光谱 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]