高T_C GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜2×4阵列式微桥器件研究  

High T C GdBa 2Cu 3O 7-δ Thin Film 2×4 Array Microbridge Device

作　　者：杨建清[1] 平一梅[2] 万发宝 

机构地区：[1]西安交通大学应用物理系 [2]西北大学物理系

出　　处：《低温与超导》1999年第2期29-31,共3页Cryogenics and Superconductivity

摘　　要：用高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜研制了面微桥型２×４阵列式Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ芯片。实验发现，当减少高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的厚度时，这种芯片上的微桥呈现出与双晶晶界型微桥异常相似的Ⅰ－Ⅴ特性。The 2×4 arrays with GdBa 2Cu 3O 7-δ thin film were fabricated. The experimental results show that when decrease the depth of the high T C GdBa 2Cu 3O 7-δ film, the Ⅰ-Ⅴ characteristic of the microbridge on this kind of 2×4 arrays is almost the same as the Ⅰ-Ⅴ characterstic of GBJ.

关 键 词：超导薄膜 双晶晶界结 GBCO 微桥器件 红外 高TC 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TM262[一般工业技术—材料科学与工程]