Ni[N(CN)_2]_2的电子结构的第一性原理研究  

Study on first-principles of electronic structure of Ni[N(CN)_2]_2

作　　者：俎凤霞[1] 刘敏敏[1] 

机构地区：[1]武汉工程大学理学院,湖北武汉430074

出　　处：《武汉工程大学学报》2010年第11期104-107,共4页Journal of Wuhan Institute of Technology

摘　　要：运用密度泛函理论(DFT)并采用全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法对分子磁体Ni[N(CN)2]2的电子结构和磁性质进行了计算.通过总能量、态密度以及自旋磁矩分布系统地研究了体系基态的相对稳定性和电子结构.结果表明,基态的Ni[N(CN)2]2是一个分子基铁磁半导体.基态的态密度计算给出了磁性的主要来源是分子中的Ni成分.This paper is devoted to examining the electronic structure and magnetic behavior of molecule-based magnet Ni[N（CN）2]2,using first principles within the full potential linearized augmented plane wave（FP-LAPW） method based on the density functional theory（DFT）.The total energy and the density of states and atomic spin magnetic moments are calculated and discussed.Ni[N（CN）2]2 is found to stabilize in a ferromagnetic semiconductor.the ferromagnetic interaction originates mainly from the Ni atoms.

关 键 词：态密度 电子结构 铁磁耦合 

分 类 号：O482.54[一般工业技术—材料科学与工程]