硼掺杂带帽碳纳米管分子结电子输运性质  

作　　者：赵朋[1] 刘德胜[2] 

机构地区：[1]济南大学理学院,济南250022 [2]山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《科学通报》2010年第31期3077-3080,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：山东省自然科学基金(ZR2009AL004);济南大学博士基金(XBS1004)资助项目

摘　　要：利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,研究了不同位置硼掺杂一维带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于硼的掺杂位置.当硼掺杂在针尖区域时,可以观测到明显的负微分电阻行为.

关 键 词：碳纳米管 掺杂 非平衡格林函数 密度泛函理论 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]