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作 者:程福祥[1] 邝峻峰[1] 廖春生[1] 徐志刚[1] 严纯华[1]
出 处:《高等学校化学学报》1999年第4期503-506,共4页Chemical Journal of Chinese Universities
基 金:国家自然科学基金;国家重点基础研究专项基金;教育部博士点基金;北大方正基金;中国博士后基金
摘 要:以溶胶-凝胶法制备了稀土铽或镝掺杂的钴尖晶石铁氧体纳米晶薄膜.考察了Tb或Dy的掺杂量及晶化条件对晶相的影响.结果表明,稀土离子的掺杂量x超过0.3时,样品很难形成尖晶石单相.原子力显微镜对纳米晶薄膜表面形貌的观测显示,溶胶-凝胶法制备的薄膜粒度可控制在20~50nm,且具有较高的表面平整度.对于厚度为200nm的薄膜,均方根粗糙度仅为4~5nm.磁特性研究发现。The nanocrystalline thin films of CoFe\-\{2-x\}RE\-xO\-4 (RE=Tb,Dy) were fabricated by sol\|gel processing. By varying the doping content of rare earth ions, x, and the annealing conditions, the difficult crystallization of spinel phase was found for the samples with \{x>\}\{0.3\}, which is ascribed to te large radii of rare earth ions. AFM observation indicated that the grain size can be controlled between 20 ̄50 nm and the sol\|gel derived thin films have a surface with a low roughness of 4 ̄5 nm. The doping of Tb\+\{3+\} and Dy\+\{3+\} ions inside spinel can enhance the coercive force of CoFe\-2O\-4 films.
关 键 词:磁光存贮材料 铁氧化 钴尖晶石 掺杂 纳米晶薄膜
分 类 号:TM277.1[一般工业技术—材料科学与工程] TP333.41[电气工程—电工理论与新技术]
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