NPB厚度对堆叠式白光OLED性能的影响  

Effects of the Thickness of NPB on the Performances of Stacked White Organic Light-Emitting Devices

作　　者：刘丁菡[1] 张方辉[1] 阎洪刚[1] 蒋谦[1] 

机构地区：[1]陕西科技大学电气与信息工程学院,西安710021

出　　处：《半导体技术》2010年第12期1153-1157,共5页Semiconductor Technology

基　　金：浙江省温州市科技计划项目(H20080004);陕西省教育厅专项科研项目(07JK191);陕西省13115显示器工程中心建设项目(20072DGC-07);陕西科技大学科研启动基金(BJ09-07)

摘　　要：主要研究了NPB厚度对堆叠式白色有机电致发光器件性能的影响。实验制备了四组结构为ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(Tnm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)(其中T分别为15,30,35和40 nm)的OLED器件,比较了不同厚度情况下OLED器件的电致发光特性,结果表明:改变NPB(4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1)的厚度能够明显提高器件的发光亮度和发光效率,并调节载流子复合区域的位置,有效提高载流子的注入效果。同时发光器件的颜色也可通过调节NPB层的厚度来改变,这种器件使用NPB作为空穴传输层显示出了色纯度高、亮度好、效率较高的白光发射,其具有CIE色坐标(x=0.301 6,y=0.338 5),最高亮度和最大发光效率分别达到14 020 cd/m2与2.94 lm/W。The effect of the thickness of NPB on the characteristics of stacked white organic light-emitting devices were systematicdly investigated.The device structure was ITO/2-TNATA（15 nm）/NPB（T nm）/ADN（30 nm）： TBPe（2%）：DCJTB（1%）/Alq3（20 nm）/LiF（1 nm）/Al（100 nm）.（Where T were 15,30,35 and 40 nm）.Compared the electroluminescence characteristics with different thickness of NPB.It is found that the changes of thickness of NPB（4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1）on luminance,power efficiency and carrier injection are very significant.The device using NPB as a hole transport layer shows the pure-white light emitting with CIE chromaticity coordinates x=0.301 6,y=0.338 5,and the maximum brightness and power efficiency are 14 020 cd/m2 and 2.94 lm/W,respectively.

关 键 词：NPB WOLED 厚度 电致发光 显示器件 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]