影响IGBT驱动电路性能参数的因素分析  

作　　者：张月梅[1] 黄建国[1] 张羽丰 

机构地区：[1]电子科技大学自动化工程学院,四川成都611731 [2]中国自动化控制系统总公司,北京100026

出　　处：《电子元器件应用》2010年第12期88-90,共3页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：分析了桥式电路中IGBT的动态开关过程以及IGBT的栅极、发射极和集电极的分布电感与其他分布参数的综合作用对IGBT驱动电路的影响,并且通过实验验证了理论分析的正确性,最后指出了IGBT驱动电路设计时的注意事项。

关 键 词：IGBT 驱动电路 尖峰电压 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]