Si_3N_4/TiN复相陶瓷常温导电性研究  

Room-temperature electrical conductivity property of Si_3N_4/TiN multiphase ceramics

作　　者：张淑会[1] 康志强[2] 吕庆[1] 薛向欣[3] 陈红建[1] 

机构地区：[1]河北理工大学冶金与能源学院河北省现代冶金技术重点实验室,河北唐山063009 [2]河北理工大学资源与环境学院,河北唐山063009 [3]东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳110004

出　　处：《功能材料》2010年第12期2206-2209,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50574030);河北省自然科学基金资助项目(E2008000396)

摘　　要：分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工。研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。烧结温度升高,材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加。Room-temperature electrical conductivity property of Si3N4/TiN multiphase ceramics fabricated by Si3N4 powders from iron ore tailing and high titanium slag was investigated.Si3N4/TiN multiphase ceramics were machined by electrical discharge machining.The results show that the minimum amount of TiO2 in initial raw materials is about 20wt% for the formation of electroconductive network in the composites,of which the electric resistivity is 4.25×10-2Ω·cm.The electric resistivity decreases slightly with increasing the sintering temperature.Surface roughness increases significantly with the increase of speed of the electrical discharge machining.

关 键 词：Si3N4/TiN 复相陶瓷 导电性能 放电加工 

分 类 号：TQ174.75[化学工程—陶瓷工业]