大位阻、富电子MOP类配体在钯催化的C-N键形成中的应用  

作　　者：谢小敏[1] 马芳芳[1] 倪刚[2] 张兆国[1] 

机构地区：[1]上海交通大学化学化工学院,上海市东川路800号200240 [2]华东理工大学化学与分子工程学院,上海市梅陇路130号200237

出　　处：《合成化学》2010年第B09期79-79,共1页Chinese Journal of Synthetic Chemistry

摘　　要：钯催化C-N键形成反应已经成为一种高效、多功能性、可靠的合成方法,被广泛的应用在天然产物的合成、医药及农药的活性组分的合成、杂环化合物的合成及材料科学中。1近年来,为了提高这类反应的底物适用范围,及钯催化剂的催化效率,大位阻、富电子单膦配体的合成及应用被广泛的研究。

关 键 词：钯催化剂 C-N 膦配体 应用 位阻 电子 MOP 合成方法 

分 类 号：O643.36[理学—物理化学]