基于热释光谱的ZnS:Cu,Pb,Mn材料陷阱深度研究  

Study on Trap Depth of ZnS:Cu,Pb,Mn Based on Thermoluminescence Spectra

作　　者：吴先权[1] 华文深[1] 赵莉君[2] 谢大兵[1] 李晓明[1] 

机构地区：[1]军械工程学院光学与电子工程系,河北石家庄050003 [2]哈尔滨工业大学理学院,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《红外技术》2010年第12期701-703,707,共4页Infrared Technology

摘　　要：利用热释光计量仪测得ZnS:Cu,Pb,Mn样品的热释光谱,以Gauss函数拟合的方式,对样品的热释光谱进行分析。并依据热释光动力学原理和Chen的峰形法,分别计算出各分峰谱线的陷阱深度E和频率因子s的具体数值。结果表明,ZnS:Cu,Pb,Mn材料中存在4个电子陷阱,E和s的值分别为:0.7969 eV、1.0745 eV、1.3999 eV、1.6593 eV;1.3800×1011 s-1、1.0385×1014 s-1、2.3186×1017 s-1、3.2718×1019 s-1。此计算结果与材料红外激励谱得到的结果基本一致,对进一步研究ZnS:Cu,Pb,Mn材料的发光机理及其微观过程提供了依据。Thermoluminescence（TL） curve of ZnS：Cu,Pb,Mn measured by TL meter is evaluated by Gaussian fitting.The trap depth E and frequency factor s of the samples are calculated by using thermoluminescent kinetics models and the peak shape method proposed by Chen.According to the calculation,there are four electron traps in ZnS：Cu,Pb,Mn,and the values of the E and s are 0.7969 eV、1.0745 eV、1.3999 eV、1.6593 eV;1.3800×1011 s-1、1.0385×1014 s-1、2.3186×1017 s-1、3.2718×1019 s-1,respectively.The results are in accordance with the results from infrared stimulation curve,and provide evidences for further study of the thermoluminescent mechanism and microcosmic process of the ZnS：Cu,Pb,Mn.

关 键 词：热释光 ZnS:Cu Pb Mn样品 红外激励发光 陷阱深度 

分 类 号：O433.4[机械工程—光学工程]