电磁兼容原理和抑制技术（二十）  

作　　者：区健昌 

出　　处：《磁性元件与电源》2010年第12期111-113,119,共4页Components and Power

摘　　要：5．7．4差模扼流圈 在高性能EMI滤波器，为了提高差模噪声的抑制性能，往往采取差模扼流斟与Cx电容组成L、T、π等滤波电路。差模扼流圈与共模扼流圈的最大区别在于差模扼流圈与负载直接串联，它采用单个绕组结构绕制而不像共模扼流圈那样在一个磁芯上采用二个相同绕组的结构，因此，当通过差模扼流圈的电流过大时，会产生磁饱和现象，电感量随之逐渐下降，下降的速度取决软磁材料的B（H）和μ（H）特性曲线。

关 键 词：电磁兼容 差模扼流圈 共模扼流圈 技术 原理 EMI滤波器 绕组结构 抑制性能 

分 类 号：TN03[电子电信—物理电子学]