PTPD/Alq_3异质结掺杂器件载流子的复合与发射  

Recombination and Emission of Carrier for PTPD/Alq_3 Heterostructure Doped Diodes

作　　者：聂海[1,2] 陈祝[1,2] 吴丽娟[1,2] 

机构地区：[1]成都信息工程学院通信工程学院,四川成都610225 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《成都信息工程学院学报》2010年第3期233-236,共4页Journal of Chengdu University of Information Technology

基　　金：四川省科技支撑计划资助项目(2009GZ0168);成都信息工程学院科研启动项目资助(KYTZ200715)

摘　　要：以新型的空穴传输材料PTPD(三苯基二胺衍生物聚合物)制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq3(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene(红荧烯)为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光(EL)光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和F rster能量转换过程的共同作用。ITO/PTPD/Alq3/Mg： Ag heterostructure electroluminescent diodes have been fabricated using a novel poly-TPD for hole transport material. The highly fluorescent rubrene is regard as dopant and mark. Recombination area of carrier has been studied for heterostructure doped diodes. Based on their EL spectra, the emission mechanisms for doped device are carrier trapping and F7 rster energy transfer processes working together.

关 键 词：微电子 有机电致发光器件 异质结 掺杂 复合 发射 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]