433MHz ASK接收机射频前端电路设计  

Design of the RF Front-end Circuits for 433 MHz ASK Receiver

作　　者：徐萍[1] 何伟[1] 张润曦[1] 赖宗声[1,2] 

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第4期543-549,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：上海AM基金项目(07SA04);上海重点学科建设项目(B411)

摘　　要：设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。The RF front-end circuits for 433 MHz ASK receiver are proposed in this paper.The design methodology of the low noise amplifier and down-mixer is presented in detail from the aspects of noise,matching,voltage gain and linearity,with the parasitic effects of the package and ESD protection circuit being considered.Fabricated in 0.18 μm CMOS process,the RF front-end circuit totally consumes 10.09 mA from 1.8 V power supply.The major measurement results are described as follows： the low noise amplifier achieves 1.35 dB NF,17.43 dB gain and-8.90 dBm input-referred P1dB（at 50 Ω input impedance）;the down-mixer features 7.57 dB NF,10.35 dB gain and-4.83 dBm input-referred P1dB（at 100 Ω input impedance）.

关 键 词：下混频器 射频前端 低噪声放大器 接收机 超高频 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3