硅基混合集成技术的研究进展  

Silicon hybrid integration

作　　者：李显尧[1,2] 袁韬努[1,2] 邵士茜[1,2] 施祖军[1,2] 汪毅[1,2] 俞育德[3] 余金中[3] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉430074 [2]武汉光电国家实验室(筹),武汉430074 [3]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《物理》2011年第1期28-32,共5页Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60806016)资助项目

摘　　要：硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将III-V族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类:异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,为大规模的异质(不同半导体材料)集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法,并对低温键合方法的发展动向做了展望.Recently, much attention has concentrated on silicon based photonic integrated circuits （PICs）, which provide a cost-effective solution for high speed, wide bandwidth optical interconnection and optical communication. To integrate Ⅲ-Ⅴ compounds and germanium semiconductors on silicon substrates, at present there are two kinds of manufacturing methods, i. e. , heteroepitaxy and bonding. Low-temperature wafer bonding which can overcome the high growth temperature, lattice mismatch, and incompatibility of thermal expansion coefficients during heteroepitaxy, has offered the possibility for large-scale heterogeneous integration. In this paper, several commonly used bonding methods are reviewed, and the future trends of low temperature wafer bonding envisaged.

关 键 词：半导体物理学 硅基键合技术 综述 混合集成 

分 类 号：TN20[电子电信—物理电子学]