临界双滑移取向铜单晶体的循环形变行为  

作　　者：李小武[1] 王中光[1] 李守新[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110015

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第8期746-753,共8页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19392300-4)

摘　　要：在塑性分切应变幅(γ_(pl))为1.2×10^(-4)～6.5×10^(-3)范围内,系统研究了临界双滑移取向[017]铜单晶体的循环形变行为,并将其与[034]临界双滑移及[001]和[011]多滑移取向单晶体的结果进行了比较。当γ_(pl)<2×10^(-3),[017]晶体的初始硬化速率θ_(0.2)几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>2×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。[017]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线不呈现平台区,但在塑性应变幅范围(5.0×10^(-4)～1.5×10^(-3))内近似出现一准平台。[017]晶体的滞后回线形状参数V_H在γ_(pl)=9.4×10^(-4)下可用来确定驻留滑移带(PSB)的萌生应力,其萌生应力约为39MPa。而在其他一些应变幅下,V_H与PSB的形成无明显对应关系。对于取向位于标准取向三角形001/011边上的铜单晶体,由011→001方向,其初始硬化速率逐渐升高,CSS平台行为发生明显的变化,从类似单滑移晶体的结果过渡到类似多晶体的结果,即:由较宽的平台区的出现([011]晶体),到平台区的缩短([034]和[012]晶体),再到准平台区的出现([017]晶体),直至平台区的完全消失([001]晶体)。

关 键 词：铜单晶体 临界双滑移 循环形变 应力-应变曲线 

分 类 号：TG146.11[一般工业技术—材料科学与工程]